辐射战略版 mod:能提供简单的稳压器线路图吗?

来源:百度文库 编辑:查人人中国名人网 时间:2024/04/29 14:43:36
书上对直流稳压是这么说的,当输出端的负载发生变化或其它原因,就通过电子原件来相应调正,对交流稳压器是这么说的,当在输入端市电发生变化时.我就想问对直流稳压器来讲,当输入端电压发生变化时,能否稳压?家里有3.7V的锂电子,想来接3V的电筒,当锂电池电压下降时,能否有简单的用三极管来稳压器线路?当然直接用稳压二极管也能解决,但那种方案太耗电了.请帮忙

1.你需要的稳压电源,要求稳压器件上的压降尽可能地小.用一般的射极输出式电路难以实现.可以用集电极输出式电路.以下链接介绍了一种电路方案,供你参考.你可改动后再用.
http://www.cndzz.com/info/3101-1.htm
2.另一种方法,是用开关式稳压电路.

3.7V的锂电接3V的电筒效率最高、最合适的是电荷泵驱动电路。在锂电电压高时,输出电压与锂电电压相同,随着锂电电压的逐步下降,输出电压自动上升为锂电电压的1.5倍、2倍。都是现成的集成块,接法很简单,价格也不高。

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高效率白光LED驱动IC技术最近几年可携式电子产品大多改用顺向电压为主3.6V(20mA)的白光LED当作背光照明单元。以行动电话为例大约使用3~4个白光LED,然而一般锂离子电池放电时的电压经常低於3.6V,为了符合LED
3.6V顺向电压的需求,因此必需借助升压电路才能获得预期的效果,也就是说白光LED驱动器必需具备以下特性:

‧即使电池的输出电压下降,驱动器也能够提供充沛的白光LED顺向电压VF。
‧可以同时驱动复数个白光LED。

如图1所示白光LED驱动器可因LED连接方式,分为串联与并联连接两种。此处假设各LED的电流为20mA,顺向电压VF为3.6V,四个LED串联时总电流为20mA,总电压为14.4V;若是并联时总电流需要80mA,总电压为3.6V。由於结构上的特性造成各LED的电流分布非常大,加上IC本身的特性分布等因素,因此包含本文即将介绍的LC41059在内,一般LED驱动IC都是采用并联方式。

图1 白光LED与驱动器的连接方式

LC41059白光LED驱动IC
图2是白光LED驱动IC
LC41059的方块图,图中的VIN表示电源输入电压,它可以输入2.7~5.5V的电压;VREF是内部基准电压的输出,它不需仰赖VIN可以输出
的电压;SD是输入shut
down信号,输入"H"信号时,LC41059开始动作点亮LED,输入"L"信号时,LC41059停止动作LED关灯;RSET外设有产生定电流必要的电阻。输出电流VOUT是升压电路的输出,它与白光LED正极连接,VOUT可与振荡电路的输出同步产生波动(ripple),此
还与平整用电容连接,它的LED_IN1~LED_IN4则与连接白光LED负极。

图2 LC40159的方块图

LC41059白光LED驱动IC是由以下三个单元构成,分别是:

‧升压电路(charge pump)。
‧定电流产生器。
‧输出电流控制器。

有关升压电路,它是采用charge pump方式,利用振荡电路与外部容量,未升压时
可以产生1倍的电源输入电压VIN,或是1.5倍、2倍的电压输入至VOUT端。至於何时需要切换升压倍数,基本上取决於「VOUT最低时需要多少V,亦即多少VOUTmin」。

假设LC41059使白光LED点灯的电压为VLED,驱动Current Mirror电晶体(Transistor)的电压为VTr,如此一来:

VOUT=VLED+VTr

当VIN比VOUTmin大的时候不需要升压,所以是1倍(未升压,through)模式;反之由於电池的消耗造成VIN比VOUTmin小的话,首先切换成1.5倍升压模式使VOUT=1.5VIN,如果电池持续消耗时,1.5VIN一旦低於VOUTmin就切换成2倍升压模式使VOUT=2VIN,不过实际上由於负载电流会有压降问题,所以无法成为VOUT=1.5VIN或是VOUT=2VIN等预期效果,必需将上述现象列入考虑,才能够决定切换升压倍数的timing。图3是LC41059白光LED驱动IC的VOUT与VOUT的特性。

图3 输入电压与升压电路的特性(总负载80mA时)

有关定电流产生器,它是由OP增幅器、电晶体与外置电阻构成。与输入到类比辉度控制器端子BRGT的电压VBRGT相同的电压,因OP增幅器的虚拟短路(virtual
shot)动作,被输出到RSET,此时外置电阻内部的电流IRSET可用下式表示:
IRSET=VRRGT/RSET----------------------------- (1)
由此可知它是属於定电流源。

有关输出电流控制器,基本上它是由Current
Mirror电路构想,输出电流控制器可以使经过40倍转换式(1)的电流值,均匀输出到LED_IN1~LED_IN4四个输出端,也就是说使Mirror前端Transistor的size变成Mirror40倍,如此便可以获得40倍的电流。各LED内的电流ILED可用下式表示:
ILED=40ХVBGRT/RSET----------------------------- (2)
Charge Pump的动作原理

图4是2倍升压Charge
Pump的动作原理示意图。请读者注意图中电容C1,相1上方的VDD电位与下方被GND电位充电后移至相2,由於下方变成VDD电位所以上方变成 电位,在此同时会将
的上方充电成2VDD电位。

接著探讨C2的动作,由於相2被充电成2VDD电位并移转到相1,它的下方变成VDD电位,因此上方变成3VDD电位,在此同时将C3的上方充电成3VDD电位。

有关C3的变化,由於相1被3VDD电位并移转到相2,它的下方变成VDD电位,因此上方变成4VDD电位,在此同时将Cout的上方充电成4VDD电位并提供给Iout,在相1
的Cout则提供Iout。

图4 四倍升压charge pump的动作原理

图5的传统四倍升压charge pump,就是根据图4的charge pump动作原理制作;表A与表B分别是施加於电荷转送元件MOSFET
M1~M4的电压一览表。其中表A中有记载4VDD施加於M1~M4的timing,这表示M1~M4必需由4VDD耐高压MOSFET构成,而它的动作原理与图4完全相同。
有关charge pump的「动作效率」,这也是一般charge pump电路最受到诟病的主要缺点之壹。评鉴DC-DC
converter性能时,经常使用的效率η可用下式表示:
η=Pout/Pin(IoutХVout)/(IDDХVDD)------------ (3)
式中的Pout:输出电力,Pin:输入电力,Iout:输电流 Vout:输出电压, IDD:输入电流,VDD:输入电压。假设图5的charge
pump电力损失很低,例如VDD=3V时,IDD=40mA,,动作效率接近
,然而实际上类似图5的电路结构,即使3倍以上升压可以维持很高的动作效率,却无法获得数mA以上的输出电流。

图5 传统四倍升压charge pump电路(相1的电压/相2的电压)

Vs:source电压 Vd:drain电压
Vg:gate电压 Vb:基板电压

表A 利用图6电路对MOSFET施加电压

Vs:source电压 Vd:drain电压
Vg:gate电压 Vb:基板电压

表B 利用图8电路对MOSFET施加电压

为何传统升压charge pump电路的电力损失会如此严重,经过反覆实验分析结果获得以下结论:

⑴.电路整体的阻抗(impedance)过高。
⑵.逆电流从输出端朝输入端。

有关第⑴项电路整体的阻抗过高问题,主要原因是charge
pump电路,使用耐高压MOSFET电荷转送元件,使得Vout输出电压急遽降低,无法有效提高动作效率,随著Iout输出电流的增加该倾向也越明显,因此Iout也无法变大。

有关第⑵项逆电流问题,如果CLK与CLKB同时切换(switching)的话,在图6所示的timing内,所有MOSFET瞬间会变成
,同时造成输入端与输出端被导通,最后形成上述的逆电流现象。

图6 传统charge pump会有有MOSFET变成ON的问题

有鉴於此日本三洋公司针对以上问题,开发如图7所示新型四倍升压charge pump电路,本电路具体改善项目分别如下:

‧针对source电压,使M1~M3基板电压常时变成0,藉此改善M1~M3基板电。
‧以source电压为基准,尽量使ON时的gate电压变成2VDD,OFF时变成0,藉此改善M1~M4的gate电压。
‧各别控制M1~M4的ON/OFF timing,当切换(switching)时藉此timing使所有MOSFET都可以成为OFF状态。

表B是施加於图7的M1~M4的电压一览。表中的2VDD耐压可以解决第⑴项的问题。此外为解决第⑵项的问题,如图8所示新型四倍升压charge
pump电路中,设有切换时可以使所有MOSFET都可以变成OFF的时段,藉此防止输出端与输入端被导通。

由於以上对策发挥预期的效果,因此该公司开发的新型Charge
Pump,即使3倍升压仍旧可以维持极高的动作效率。由於升压电路动作效率高达95%,因此突破传统多段升压型Charge Pump只能获得数十 输出电流的困扰。

图7 新型四倍升压charge pump电路(相1的电压/相2的电压)

图8 所有MOSFET呈OFF时的Timing

如何维持LED的驱动电流

维持LED的电流,对白光LED用驱动IC而言乃是最重要的课题。锂离子电池的输出电压,随著消耗情况通常会在3.2~4.1V之间变动,白光LED的顺向电压VF大约是在3.0~3.8V范围内变动,面对上述变动特性如何抑制白光LED的电流波动,首先必需要了解升压电路的输出VOUT,究竟需要多少V(亦即多少VOUTmin)。
依此获得的结论是升压切换timing必需具备充分的裕度,同时常时提高升压电路VOUT的输出,因为升压电路非常重视动作效率。以图9为例,升压从1倍切换成1.5倍朝高电源输入电压VIN端移动时效率会恶化。此处假设驱动LED的电力为PLED,电源的供给电力为Ps,动作效率η可用下式表示:
η=PLED/Ps------------------------------------ (4)

同时驱动四个LED时的动作效率 :

η=(VFХILEDХ4)/(VINХIIN)Х100---------------- (5)
换句话说「使LED的电流维持一定,升压切换timing可作何种程度移动至低VIN端」才是设计重点,因此有些厂商针对白光LED的顺向电压VF不同分布,以及负载电流等结构特性的限制,特别设置检测系统,试图藉此方式取得最佳升压切换timing,它的缺点是制作成本有升高之虞。图10是日本三洋开发的高效率白光LED驱动IC
LC41059的输入电压VIN与ILED的关系。

图9 输入电压与LED驱动效率(总负载80mA时)

图 10输入电压与ILED的关系

LED辉度的调整

LC41059白光LED驱动IC的辉度调整方法有两种,分别如下:

⑴.类比电压输入法。
⑵.PWM点灭法。

有关第⑴项类比电压输入法,它是根据式(2)改变VBRGT,藉此使ILED发生变化。图11是类比辉度控制电压VBRGT与ILED的关系,图中的RSET造成各种不同的倾斜,除此之外读者可以将它视为VBRGT装有调整旋钮形成的现象。

图11 类比辉度控制电压VBRGT与ILED的关系

有关第⑵项PWM点灭法,它是利用shut
down特性使LED熄灯。具体方法是将0~1kHz的脉冲输入到SD端子,如此便可以同步使LED反覆点灯、熄灯,至於点灯时间与熄灯时间的百分比,则是利用SD输入脉冲的on
duty调整。例如周期为5µs的脉冲, "H"输出为3µs ,"L"输出时为2µs时,duty就是60%。图12是ILED与on duty的关系。

图12 On Duty与ILED的关系
结语

以上介绍高效率白光LED驱动IC LC41059的动作特性,本IC的升压电路采用全新结构的charge
pump,所以即使高倍数升压也可以获得极高的动作效率,这意味著本IC可以提供白光LED非常稳定的电力。2005-11-4 16:00:37

【因富余电压不足,即使使用稳压电路,效果很差。】
可以在电路中串入硅、锗二极,利用硅、锗二极管正向压降为0.7V/0.3V左右的特点,使灯泡电压在3V左右。手电筒的小电珠额定电压是2.5V的,直接加锂电(一般电压范围为3.7V-4V),电珠很容易烧毁。
【这个电路如果用在随身听等设备上时】应在电压输出端接一个大于100μf的退藕电容(电解电容即可),并增减硅、锗二极管的数量,调整输出电压到最接近设备的额定电压。
【这个方法本人使用过,简单,效果好】。

3.7v锂电,供3v电筒,一块电池一个电筒,一个电筒一块电池,电池一块电筒一个......。哎!争来争去,动用了专家、顾问,长篇大论。幼儿园小孩都能搞定!1---3v电筒的电珠3.2--3.6v!2---3.7v电池电压降了能有什么稳压器把它稳上来!!!争!争!

无趣!

电筒而已,3.7v锂电供3v电筒根本无需稳压啊,别有用去再联络。
http://hi.baidu.com/bamtd882