不义联盟新52超人能力:求鉴定:我这两个内存是否兼容~~~~急!

来源:百度文库 编辑:查人人中国名人网 时间:2024/05/03 08:29:50
我这两条内存我一起用两天了,没出什么毛病,是否可以一起用啊,会不会烧了啥啊~~~~
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字段 值
DIMM1 256 MB PC133 SDRAM (3.0-3-3-6 @ 133 MHz) (2.0-2-2-5 @ 100 MHz)
字段 值
DIMM2: Hyundai 76V16635HGT8-H 128 MB PC133 SDRAM (3.0-3-3-6 @ 133 MHz) (2.0-2-2-5 @ 100 MHz)
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字段 值
内存模块
序列号 无
模块容量 256 MB (2 ranks, 4 banks)
模块类型 无缓冲
存储方式 SDRAM
存储速度 PC133 (133 MHz)
模块位宽 64 bit
模块电压 LVTTL
错误检测方式 无
刷新周期 一般 (15.625 us), Self-Refresh

内存计时
@ 133 MHz 3.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)

内存模块特征
Early RAS# Precharge 不支持
Auto-Precharge 已支持
Precharge All 已支持
Write1/Read Burst 已支持
Buffered Address/Control Inputs 不支持
Registered Address/Control Inputs 不支持
On-Card PLL (Clock) 不支持
Buffered DQMB Inputs 不支持
Registered DQMB Inputs 不支持
Differential Clock Input 不支持
Redundant Row Address 不支持
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字段 值
内存模块
模块名称 Hyundai 76V16635HGT8-H
序列号 00001A44h (1142554624)
模块容量 128 MB (2 ranks, 4 banks)
模块类型 无缓冲
存储方式 SDRAM
存储速度 PC133 (133 MHz)
模块位宽 64 bit
模块电压 LVTTL
错误检测方式 无
刷新周期 一般 (15.625 us), Self-Refresh

内存计时
@ 133 MHz 3.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)

内存模块特征
Early RAS# Precharge 不支持
Auto-Precharge 已支持
Precharge All 已支持
Write1/Read Burst 已支持
Buffered Address/Control Inputs 不支持
Registered Address/Control Inputs 不支持
On-Card PLL (Clock) 不支持
Buffered DQMB Inputs 不支持
Registered DQMB Inputs 不支持
Differential Clock Input 不支持
Redundant Row Address 不支持

内存模块制造商
公司名称 Hynix Semiconductor Inc.
产品信息 http://www.hynix.com/eng/02_products/01_dram/index.jsp

可以用!都是PC133 SDRAM 的内存.外频是向下兼容的

有危险,外频,电压什么都不一样,小心主板

没问题 即使不兼容也不会烧啊~

你的担心有点多余了,没有问题,放心用吧,

没事,可以放心使用