天津市津南区监察网:二极管 三极管 的工作原理

1、二极管工作原理：
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
2、三极管工作原理：
三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E.分成NPN和PNP两种.我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理.
一、电流放大
下面的分析仅对于NPN型硅三极管.如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic.这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向.三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话）,并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β一般远大于1,例如几十,几百）.如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射 极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化.如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化.我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了.
二、偏置电路
三极管在实际的放大电路中使用时,还需要加合适的偏置电路.这有几个原因.首先是由于三极管BE结的非线性（相当于一个二极管）,基极电流必须在输入电压 大到一定程度后才能产生（对于硅管,常取0.7V）.当基极与发射极之间的电压小于0.7V时,基极电流就可以认为是0.但实际中要放大的信号往往远比 0.7V要小,如果不加偏置的话,这么小的信号就不足以引起基极电流的改变（因为小于0.7V时,基极电流都是0）.如果我们事先在三极管的基极上加上一 个合适的电流（叫做偏置电流,上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的,所以它被叫做基极偏置电阻）,那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时,小 信号就会导致基极电流的变化,而基极电流的变化,就会被放大并在集电极上输出.另一个原因就是输出信号范围的要求,如果没有加偏置,那么只有对那些增加的 信号放大,而对减小的信号无效（因为没有偏置时集电极电流为0,不能再减小了）.而加上偏置,事先让集电极有一定的电流,当输入的基极电流变小时,集电极 电流就可以减小；当输入的基极电流增大时,集电极电流就增大.这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了.
三、开关作用
下面说说三极管的饱和情况.像上面那样的图,因为受到电阻 Rc的限制（Rc是固定值,那么最大电流为U/Rc,其中U为电源电压）,集电极电流是不能无限增加下去的.当基极电流的增大,不能使集电极电流继续增大 时,三极管就进入了饱和状态.一般判断三极管是否饱和的准则是：Ib*β〉Ic.进入饱和状态之后,三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小,可以理解为 一个开关闭合了.这样我们就可以拿三极管来当作开关使用：当基极电流为0时,三极管集电极电流为0（这叫做三极管截止）,相当于开关断开；当基极电流很 大,以至于三极管饱和时,相当于开关闭合.如果三极管主要工作在截止和饱和状态,那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管.
四、工作状态
如果我们在上面这个图中,将电阻Rc换成一个灯泡,那么当基极电流为0时,集电极电流为0,灯泡灭.如果基极电流比较大时（大于流过灯泡的电流除以三极管 的放大倍数 β）,三极管就饱和,相当于开关闭合,灯泡就亮了.由于控制电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了,所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通 断.如果基极电流从0慢慢增加,那么灯泡的亮度也会随着增加（在三极管未饱和之前）.

三极管的工作原理
三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。
三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫建立偏置，否则会放大失真。
在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压UB升高时，IB变大，IC也变大，IC 在集电极电阻RC的压降也越大，所以三极管集电极电压UC会降低，且UB越高，UC就越低，ΔUC=ΔUB。仅供参考，请参考有关书籍。
http://www.aihuau.com/mdl/md1/md1.31.htm
自己看吧！
参考资料：http://www.aihuau.com/mdl/md1/md1.31.htm

二极管的工作原理
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建

电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等

而处于电平衡状态。

当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电

流。

当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电

压值无关的反向饱和电流I0。

当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，

产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

这个比较复杂，是基于不同区域掺杂不同杂质浓度不同制作的，具体要去看《半导体物理学》

顶一楼的，说的专业而业简明。

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