邓丽君的私生活很糜烂:MOS的源极和漏极有什么区别?

来源:百度文库 编辑:查人人中国名人网 时间:2024/04/30 08:52:51
看起来差不多?

1、区别:源极(source)source资源,电源,中文翻译为源极。起集电作用的电极。漏极(drain)drain排出,泄漏,中文翻译为漏极。起发射作用的电极。
2、mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

MS在半导体材料的层面上没有本质区别,当时在半导体器件设计时, 一般将衬底极与源极相连,所以MOSFET的开关性能与V_{GS}相关,只要V_{GS}超过阈值,就导通/截止(取决于耗尽型还是增强型)所以本质上S,D是由半导体器件制造时内部连接方式决定的.所以反接会导致短路

我们知道三极管相当于一条通道,在这条通道上电流出发的那一端叫做源极,而电流到达的那一端叫做漏极