永川乐和乐都旅游攻略:谁是硬件高手?上!

来源:百度文库 编辑:查人人中国名人网 时间:2024/04/30 00:33:43
我的机子原来用的是64M SDR (单面4颗 ) 芯片上写的是:
HYNIX 134A
HY57V28820HCT-H
KOREA PQ09557A

现拿到另一条内存条是128M SDR 133MHz (双面16颗 ) 芯片上写的是:
HYNIX KOREA
HY57V64820HG
0516A T-H

CPU使用的是:P3 500(5*100)MHz 不知道我的机子能共用否?这两根内存条具体写的是什么?有谁知道请做个详解

第一行说的是这条内存的牌子和颗粒:
第二行说的是这条内存的大小,例如:128或256,但是这个需要经验才可以看的出来。
第三行说的是这条内存的频率。例如:pc133 pc266.

是否能共用那要看看你的主板兼容性

首先 我给你一个 现代内存 颗粒的 编号规则

HY XX X XX XX XX X X X X X - XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
这个是市场上流行的现代内存的标号。对应位置上1:不用我说你也看出来了当然是代表HY生产的颗粒喽 2:内存芯片类型:5D :DDR SDRAMS 3:工艺与工作电压V :CMOS,3.3V U : CMOS, 2.5V 4:芯片容量和刷新速率: 64 :64m, 4kref 66 :64m, 2kref 28 :128m,4kref 56 :256m,8kref 12 :512m,8kref 5: 芯片结构(数据宽度)4:X4(数据宽度4bit 下同) 8 :x8 16 :x16 32 :x32 6:BANK数量: 1 :2BANKS 2 :4BANKS 7:I/O界面: 1 :SSTL_3 2 :SSTL_2 8:芯片内核版本: 空白:第一代 A :第二代 B :第三代 C :第四代 9:能量等级: 空白 :普通 L :低能耗 10:封装形式: T :TSOP Q :TQFP L :CSP(LF-CSP) F :FBGA 11:工作速度: 33 :300NHZ 4 :250MHZ 43 :233MHZ 45 :222MHZ 5 :200MHZ 55 :183MHZ K :DDR266A H :DDR266B L :DDR200

实际上你看的颗粒 可能和我说的编号对不上!!但是 你大概知道就好 因为 编号的规则 是经常改变的!!!

不出意外的 话 你这两条内存可以一起用!! 而且 还能用得很稳定!!恭喜

HYNIX DDR SDRAM颗粒编号:

HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14

整个DDR SDRAM颗粒的编号,一共是由14组数字或字母组成,他们分别代表内存的一个重要参数,了解了他们,就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下:

1. HY是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。

2. 内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM)

3. 处理工艺及供电:(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)

4. 芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新)

5. 内存条芯片结构:(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片)

6. 内存bank(储蓄位):(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)

7. 接口类型:(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)

8. 内核代号:(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)

9. 能源消耗:(空白=普通;L=低功耗型)

10. 封装类型:(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm))

11. 封装堆栈:(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC))

12. 封装原料:(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素)

13. 速度:(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)

14. 工作温度:(I=工业常温(-40 - 85度);E=扩展温度(-25 - 85度))

其实,现代SDRAM内存的编号和DDR SDRAM同属现代DRAM类产品,因此编号都基本相同。用户只需记住编号中“-”后面的一位或两位数字,就能轻松识别现代SDRAM内存性能。现在现代SDRAM内存最这一位代码的设定,分如下几种:

5
200MHz

55
183MHz

6
166MHz

7
143MHz

K
PC133,CL=2

H
PC133,CL=3

8
125MHz

P
PC100,CL=2

S
PC100,CL=3

10
100MHz

一般在市场中,我们最长见到编号尾数为“H”的产品,即PC133且CL=3的产品,如果当用户购买的内存结尾为其他数字或字母时,最好能先依照上面列表中的数字进行比对,以免买到性能低下的内存产品。

以现代为例,SDRAM芯片上的标识为以下格式:

HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX

HY代表是现代的产品。

5X表示芯片类型,57为一般的SDRAM,5D为DDR SDRAM。

第2个X代表工作电压,空白为5V,\"V\"为3.3V, \"U\"为2.5V。

第3-5个X代表容量和刷新速度,分别如下:

16: 16Mbits,4K Ref。

64: 64Mbits,8K Ref。

65: 64Mbits,4K Ref。

128:128Mbits,8K Ref。

129:128Mbits,4K Ref。

256:256Mbits,16K Ref。

257:256Mbits,8K Ref。

第6、7个X代表芯片输出的数据位宽,40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成,1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次
关系。

第9个X一般为0,代表LVTTL(Low Voltage TTL)接口。

第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新。

第11个X如为\"L\"则代表低功耗的芯片,如为空白则为普通芯片。

第12、13个X代表封装形式,分别如下:

JC : 400mil SOJ

TC : 400mil TSOP-Ⅱ

TD : 13mm TSOP-Ⅱ

TG : 16mm TSOP-Ⅱ

最后几位为速度:

7: 7ns (143MHz)

8: 8ns (125MHz)

10p: 10ns (PC-100 CL2 &3)

10s: 10ns (PC-100CL 3)

10 : 10ns (100MHz)

12 : 12ns (83MHz)

15 : 15ns (66MHz)

注:例如常见的HY57V658010CTC-10s,HY是现代的芯片,57说明是SDRAM,65是64Mhbit和4K
refresh cycles/64ms,下来的8是8位输出,10是2个Bank,C是第4个版本的内核,TC是400mil
TSOP-Ⅱ封装,10S代表CL=3的PC-100。

可以共用。128插dimm1 /64插dimm2

能不能共用要看你的主板是否支持bank3,如果支持,在DIMM1上插双面内存,在DIMM2上插单面内存,两条内存都是韩国现代的内存颗粒,其他是厂家编号。

看 主板 不过应该没问题